MOCVD相关论文
纵观半导体在微电子领域的发展历史,带隙更宽的半导体材料逐渐备受青睐,而发展性能更为优异的半导体材料是必然选择。近年来,新型......
日盲紫外光电探测器因其具有低背景噪声、高灵敏度、强抗干扰能力等优势,在导弹预警、空间保密通信、环境监测以及火灾监测等军事......
阐述4H-SiC同质外延生长过程中出现的三角形缺陷。基于三角形缺陷的成核原理，对外延层结构和生长参数进行改进，从而在4H-SiC衬底与外......
金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术以气相源的热分解反应作为基础，其适合规模化生产，是现今生长半导体材料的主要制备方式。在MOCVD生......
直腔面发射激光器（VCSEL）具有边发射半导体激光器不可比拟的优点,作为最早商业化的VCSEL器件,850nm VCSEL目前的应用领域已经相当广......
期刊
近年来,随着蓝绿光波段发光二极管（Light Emitting Diode,LED）制备技术的日趋稳定和成熟,对于紫外发光二极管（Ultraviolet Light Emit......
AlN单晶薄膜是重要的第三代半导体材料,具有宽带隙、耐辐射、耐高温等特点,广泛用于制备半导体发光器件和功率器件。金属有机化学......
AlN单晶薄膜是一种重要的半导体材料,具有宽带隙、高击穿电压、耐高温、耐腐蚀的优良特性,是制备蓝紫光发光二极管、大功率电力电......
GaN作为第三代半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电压高、饱和电子漂移速度高等诸多优点,是制备高频大功率电子器件的理想材料。GaN......
InAlN三元合金材料是制备高电子迁移率晶体管（HEMT）的理想材料,其a轴晶格常数在In N a轴晶格常数（0.3533 nm）和Al N a轴晶格常数（0.3112......
β-Ga2O3是近年来新兴的超宽禁带半导体材料之一,因具有4.2～4.9eV的超大禁带宽度,高热稳定性和天然衬底可以大规模生产等特点而受到......
REBCO超导薄膜在4-77 K的整个应用温区的不可逆磁场都较高;因此,基于REBCO涂层的第二代高温超导带材,具有最好的磁场特性潜力和最......
GaN基发光二极管（LED）由于节能环保已被广泛应用在了照明和显示领域,但薄膜结构的商用LED外延材料存在发射波长单一、位错密度高、极......
InGaN/GaN量子阱已被广泛应用于蓝色、绿色甚至黄色光谱范围的发光二极管（LEDs）和激光器二极管（LDs）。但是,当发射波长从蓝光转变到绿......
AlGaN材料作为第三代半导体材料在深紫外发光二极管（DUV-LEDs）等光电子器件领域具有非常广泛的应用前景。理论上,由非极性Al Ga N材......
学位
无机非金属材料在人们日常生活以及高新技术发展中扮演了至关重要的角色,本文针对无机非金属材料在非线性光学以及第三代半导体材......
GaN材料具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高和抗辐射能力强等特性,是制备短波长发光器件和高频高功率电子器件的理想材料。GaN材......
随着物联网和人工智能产业的兴起,亟需低功耗、高稳定性的微纳传感器。目前,商用的半导体气体传感器通常采用金属氧化物（如SnO2）纳米......
InGaN基量子阱作为太阳电池器件的有源区时，垒层厚度设计以及实际生长对其光学特性的影响极为重要。采用金属有机化学气相沉积(MOVC......
在蓝宝石衬底上采用由低温AlN成核层、中温AlN生长层、温度渐变AlN生长层和高温AlN生长层组成的厚三维生长缓冲层来实现AlN外延层......
由于在日盲紫外探测方面的应用前景, 具有合适带隙的MgZnO合金半导体薄膜受到越来越多的关注。获得具有择优取向的单一相MgZnO对提......
利用单层六方BN材料(hexagonal BN:hBN)作为成核层, 用金属有机物化学气相沉积法生长AlN薄膜, 得到应力小裂纹少的外延材料。实验......
用低压金属有机物气相外延(LP-MOCVD)技术,采用低温缓冲层生长法,在GaAs(100)衬底上直接生长了高质量的InP外延层。12 μm InP(0......
选择区域外延生长（SAG）技术是微纳尺度GaN基发光器件的主要制备方法之一。在选择区域外延生长中, Ⅲ族金属原子在掩模介质表面的迁移......
采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上GaN材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压......
采用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术，在InP (100)衬底上生长In0.82Ga0.18As，研究生长温度对In0.82Ga0.18As材料表面形貌、......
GaAs基纳米线材料在新一代光电子器件的研究及制备领域具有广泛的应用前景,近年来一直是国内外研究的热点。由于其高迁移率,高漂移......
为了顺应光电探测器和阵列小尺寸、多功能、高密度集成的发展趋势,报告了一种基于超薄氧化镓(Ga2O3)制成的高性能日盲和X射线双功......
本文致力于用自制的低压MOCVD装置进行CaInP2/GaAs/Ge空间用高效级联太阳能电池制作的工艺以及聚光太阳能电池组件的研究。首先，介......
β相三氧化二镓(β-Ga2O3)为超宽带隙透明氧化物半导体材料,在高温高压电子器件、太阳盲区紫外探测器和透明薄膜晶体管等领域中都......
采用金属有机化学气相沉积方法在无掩模的直径为400nm的圆柱Si(100)图形衬底上外延生长了GaAs薄膜。图形衬底采用纳米压印技术及反......
在Ａｌ２Ｏ３（０００１）衬底上用ＭＯＣＶＤ（金属有机物气相沉积）方法进行了ＧａＮ的外延生长，通过Ｘ射线衍射（同步辐射源）研究了ＧａＮ和Ａｌ２Ｏ３（０００１）的匹配关系。结果表明，经充分氮化的衬底上，ＧａＮ以单......
利用 MOCVD技术在提高生长温度 (90 0℃ )下生长出了高质量的立方相 Ga N ,生长速度提高到 1.6μm / h.高温生长的 Ga N样品近带边......
日本罗姆公司与立命馆大学一个合作小组声称,其垂直结构GaN MOSFET可达到比SiC相同器件还要好的性能。该研究小组所研制出的上述晶......
为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长......
士兰微董秘兼财务总监陈越日前表示,士兰微目前拥有8台MOCVD设备,外延片年产能在15万片,芯片年产能在60亿颗,目前的产能利用率很高......
用低压金属有机物化学汽相沉积法(MOCVD)在Si(100)无偏角和Si(100)4°偏角衬底上外延生长GaAs层。异质外延采用两步生长法,并分别......
制备了薄p型层GaN基p-i-n型紫外探测器,并对其反向漏电特性进行了研究。探测器材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石......
We report an enhancement-mode InAlN/GaN MISHEMT with a low gate leakage current by a thermal oxidation technique under g......
研究了生长温度和中断时间对AlGaInAs/AlGaAs量子阱外延质量的影响,并使用金属有机化合物汽相沉积(MOCVD)外延生长了AlGaInAs/AlGa......
对采用MOCVD生长的AlGaN pin结构上制备的背照日盲型3×3AlGaN串联紫外探测器进行了光电性能的研究。室温下单元探测器的峰值响应......
用来制作光电子器件的(Al_(0.1)Ga_(0.9))_(0.5)In_(0.5)为直接带隙的四元合金材料,对应的发光波长为630nm,在其LP-MOCVD(low pres......
通过介绍蓝宝石衬底上生长氮化铟(InN)单晶薄膜的发展历程,阐述了生长该单晶薄膜的几种方法及生长过程中存在的一些问题和改进措施......
采用低温AlN成核层,在Si(111)衬底上,用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长了GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射(XRD)、椭圆偏振光谱仪......
利用有限元分析软件ANSYS对蓝宝石基GaN薄膜的应力进行了模拟分析,并通过理论计算验证了其合理性。模拟出了蓝宝石基GaN薄膜应力的......
